2023年4月24日下午14点，中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员应材料学院青联会的邀请，在东区材料学院B楼520报告厅进行了题为“AlGaN宽禁带半导体材料外延及深紫外LED器件研究”的精彩报告。参会人员包括材料学院青联会会长陈建国教授、杨伟光教授、黄璐副教授等和全校师生40余人参与。

陈建国教授首先对郭炜研究员来参加现场报告表达了诚挚的感谢，并向参会人员详细介绍了郭炜研究员的科研经历以及研究工作。郭炜研究员在报告中介绍了基于宽禁带半导体AlGaN材料的深紫外LED的研究进展与应用方向，并且针对AlGaN材料体系Al和Ga完全互溶、载流子局域化弱、III族氮化物不同极性面表面能、费米能、化学稳定性存在明显差异等问题，提出了相应的解决方案，并展示了团队目前所取得的学术成果。报告结束后，郭炜研究员与现场师生就具体学术问题进行了广泛且深入的探讨，最后学术活动在一片热烈的掌声中圆满结束。

附：郭炜研究员简介：

郭炜，研究员，博士生导师。本科毕业于上海交通大学，博士毕业于美国北卡罗莱纳州立大学，曾任美国应用材料有限公司研发工程师，2016年加入中科院宁波材料所。长期从事第三代半导体（氮化物）材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金区创联合基金/面上/青年基金、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青等课题。在领域主流期刊中发表论文80余篇，引用1800余次(Google Scholar)。授权发明专利20余项，并担任《光子学报》青年编委。中科院青年创新促进会会员，并获得了宁波市领军人才、浙江省钱江人才称号。