报告题目(中文)：太阳能电池材料缺陷的理论与计算研究

报告内容简介：缺陷调控是影响半导体太阳能电池光电转换效率的关键因素。缺陷与掺杂直接决定半导体中载流子的类型、浓度、传输以及光生载流子的非辐射复合。真实半导体中存在的缺陷种类繁多，浓度各异，使得缺陷，特别是单个点缺陷性质的实验表征非常困难，因而理论与计算在缺陷研究中起到了重要的作用。本报告讲首先介绍基于第一性原理的缺陷计算方法，然后以典型太阳能电池材料CdTe[1]、Cu(In,Ga)Se2[2]、Cu2ZnSnS(Se)4[3]和CH3NH3PbI3[4,5]为例，介绍理论计算如何认识和调控太阳能电池材料的缺陷性质。 [1] J.-H. Yang, W.-J. Yin, J.-S. Park, J. Ma and S.-H. Wei*, Semicond. Sci. Tech. 31, 083002 (2016) [2] S. B. Zhang, S.-H. Wei, A. Zunger and H. Katayama-Yoshida, Phys. Rev. B 57, 9642 (1998) [3] S. Chen*, A. Walsh, X.-G. Gong and S.-H. Wei*, Adv. Mater. 25, 1522 (2013) [4] W.-J. Yin*, T. Shi, Y. Yan*, Appl. Phys. Lett. 104, 063903 (2014) [5] J. Wang, W. Li, W.-J. Yin*, Adv. Mater. 32, 1906115 (2020)

报告人姓名：尹万健

报告人简介(中文)：尹万健，苏州大学教授，复旦大学物理学学士（2004）、博士（2009），师从龚新高院士。美国可再生能源国家实验室、托莱多大学博士后和研究助理教授。国家高层次引进青年人才、江苏省双创人才。主持国家自然科学基金3项、江苏省杰出青年科学基金，参与2项国家重点研发计划项目。主要从事能源材料的理论与计算研究，在太阳能电池材料，半导体缺陷物理，材料设计的机器学习等方面做出了系列原创性工作，发表论文100余篇，第一或通讯作者包括Nat. Comm., JACS, Adv. Mater., PRL, EES等期刊，被引7000余次。

报告人单位(中文)：苏州大学能源学院，能源与材料创新研究院

报告时间：2020-09-20 10:00

报告地点：东区MGI楼(7号楼)510会议室

主办单位：上海大学材料学院

联系人：施思齐