报告题目(中文)：AlGaN宽禁带半导体材料外延及深紫外LED器件研究

报告内容简介：

   基于宽禁带半导体AlGaN材料的深紫外LED在空气/水杀菌消毒、保密通讯等领域具有广泛的应用，是替代传统含汞气体灯的最佳选择。然而，AlGaN基深紫外LED的外量子效率普遍低于10%，与蓝光LED相比依然处于较低的水平。针对AlGaN材料体系Al和Ga完全互溶、载流子局域化弱的问题，提出了基于蓝宝石衬底斜切角调控改善器件限阈特性的方案，内量子效率（IQE）>90%，为领域最好水平；针对非极性面、氮极性面AlN薄膜内层错和极性反转畴密度较高，引起漏电通道的问题，开发了循环低温退火-再生长的工艺，改善了薄膜质量，且降低了薄膜翘曲、提高了器件可靠性；采用能带工程对金-半接触界面进行费米能匹配设计，开发了包括MoOx/Al、Ni/Al等一系列紫外高反射率电极，器件外量子效率EQE提升44%，平均水平>5%，输出功率>30 mW。

此外，针对III族氮化物不同极性面表面能、费米能、化学稳定性存在明显差异的特点，在同一衬底上外延生长了金属极性和氮极性周期分布的结构，即氮化物双极性畴(LPS)，实现了载流子在不同极性畴界面处的高效辐射复合，发光效率与传统紫外LED相比提升6倍，提出了载流子在三维空间内的传输与复合理论，有望成为解释紫外光电子器件电流拥堵效应、功率电子器件开关特性的强大理论工具。

报告人姓名：郭炜

报告人简介(中文)：郭炜，研究员，博士生导师。本科毕业于上海交通大学，博士毕业于美国北卡罗莱纳州立大学，曾任美国应用材料有限公司研发工程师，2016年加入中科院宁波材料所。长期从事第三代半导体（氮化物）材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金区创联合基金/面上/青年基金、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青等课题。在领域主流期刊中发表论文80余篇，引用1800余次(Google Scholar)。授权发明专利20余项，并担任《光子学报》青年编委。中科院青年创新促进会会员，并获得了宁波市领军人才、浙江省钱江人才称号。

报告人单位(中文)：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

报告时间：2023年4月24日 下午 14：00

报告地点：宝山校区东区材料楼B楼520报告厅

主办单位：上海大学材料学院

联系人：黄璐